NAIM XS 3

Upgrade nel dettaglio:

• Il nostro gruppo di ricerca e sviluppo ha trovato un modo di più che raddoppiare la velocitò dello stadio di guadagno di tensione, così da raddoppiare la velocità alla quale lo stadio di uscita per i diffusori reagisce.
   
• I transistor del secondo stadio di guadagno cono stati ottimizzati, così da non richiedere la schermatura tramite uno stadio con transistor in cascata. La rimozione dello stadio in cascata permette di diminuire la richiesta di stabilizzazione dell’amplificazione, così da raddoppiare lo slew-rate e assicurare un altro salto in alto nella qualità sonora.
   
• La topologia del circuito fono comprende tre stadi: lo stadio di guadagno; l’equalizzazione passive; lo stadio finale di guadagno e l’equalizzazione attiva. Questo permette ottime prestazioni per quanto riguarda il rumore, un’equalizzazione RIAA estesa oltre alla banda audio e un grande spazio per il sovraccarico.
   
• Tutti I condensatori dell’equalizzazione RIAA sono a montaggio meccanico con foro passante, con bassissima sensibilità microfonica e eccellenti prestazioni transitorie. Visto che lo stadio fono è migliaia di volte più sensibile degli altri ingressi, questo migliora fortemente la qualità sonora.
   
• L’impedenza di ingresso è di 47 kΩ in parallelo con un carico capacitivo di 470 pF: il guadagno è perfetto per fonorivelatori MM con uscita pari a 5 mV.